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氮化鋁陶瓷電路板技術參數 文章正文
氮化鋁陶瓷電路板技術參數

氮化鋁與氧化鋁 

 

AlN陶瓷電路板產品規格及尺寸參數

項目

具體參數

厚度 (Thickness)

0.25~0.635 mm

尺寸 (Dimension)

114×114 mm

孔徑 (Diameter)

Top (上)

80~140μm

Bottom (下)

60~100 μm

線距 (Line-spacing)

60 μm

線寬 (Line-width)

60 μm

金屬層 (Copper Thickness)

Cu15~30 μm

表面處理 (Surface Finish)

Ni-Pd-Au/Ni-Pd-Ag/Ni-Ag/Ag

表面粗糙度 (Surface Roughness)

Ra≤0.3 μm

圖案分配率 (Distribution Pattern )

90%

基板密度 (Nominal Density)

3.30 g/cm³

熱導率 (Thermal Conductivity) (20)

>170 W/m·K

整版翹曲度(Warpage

<1

 

氮化鋁陶瓷電路板具有極高的金屬化粘結度、優秀的焊接工藝和出色的穩定性、良好的機械強度和適合的熱膨脹系數,確??梢耘浜细鞣N芯片封裝工藝與芯片緊密貼合。

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